ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. РАДИОЭЛЕКТРОНИКА

 Известия вузов. Радиоэлектроника. - 2006. - Т. 49, N 2
~
LA rus
TR Преобразование Гильберта в системах обработки сигналов
AU В.Л.Селетков
RR Рассмотрены характеристики интегрального преобразования
   Гильберта во временной и частотной областях (в том числе и при
   использовании преобразования Хартли) и основные методы
   реализации цифровых преобразователей Гильберта. Приведенные
   соотношения позволяют упростить анализ временных и спектральных
   характеристик комплексных огибающих аналитических сигналов при
   цифровой обработке и корректно интерпретировать результаты
   цифрового спектрального анализа на основе преобразования Фурье и
   Хартли.
KR обработка сигналов; цифровая обработка сигналов; широкополосные
   сигналы; сигналы широкополосные; спектральный анализ; анализ
   спектральный; цифровой спектральный анализ; преобразование
   Гильберта; Гильберта преобразование; преобразование Фурье; Фурье
   преобразование; преобразование Хартли; Хартли преобразование
PP 3-10
$$
LA rus
TR О возбуждении колебаний шепчущей галереи в полудисковом
   диэлектрическом резонаторе щелью связи в зеркале
AU А.Е.Когут, О.А.Матяш
RR Экспериментально исследованы колебания шепчущей галереи,
   возбуждаемые в полудисковом зеркальном диэлектрическом
   резонаторе щелью связи в зеркале. Изучены характеристики
   возмущенных щелью связи резонансных полей колебаний. Показано,
   что в отличие от собственных колебаний, характеристики
   вынужденных колебаний шепчущей галереи во многом определяются
   положением элемента возбуждения колебаний на участках поля
   различной интенсивности.
KR резонаторы; диэлектрические резонаторы; полудисковые резонаторы;
   колебания резонаторов
PP 10-16
$$
LA rus
TR О возможных вариантах формирования двухтактного
   дискретно-аналогового представления информации
AU А.В.Бушма, Г.А.Сукач
RR На основе геометрической интерпретации формирования изображения
   на информационном поле дискретно-аналогового индикатора с
   матричным соединением элементов показано, что существует только
   два варианта двухтактного синтеза визуальных символов аддитивной
   информационной модели. Получены и проанализированы матрицы,
   описывающие подмножества элементов, участвующих в индикации.
KR индикаторы; индикация; дискретно-аналоговые индикаторы;
   отображение данных; информационные модели; модели
   информационные; аддитивные модели; модели аддитивные;
   преобразователи; электрооптические преобразователи
PP 17-27
$$
LA rus
TR Резонансы в волноводной системе "штырь с
   зазором-близкорасположенный поршень"
AU Д.А.Усанов, С.С.Горбатов
RR Теоретически и экспериментально исследована электродинамическая
   система "металлический штырь с зазором-близкорасположенный
   короткозамыкающий поршень". Показано, что такая система может
   быть успешно использована при создании СВЧ устройств с
   уменьшенными габаритами, характеристиками которых можно
   эффективно управлять магнитным полем.
KR волноводные системы; системы волноводные; электродинамические
   системы; системы электродинамические; резонансы; СВЧ устройства;
   сверхвысокочастотные устройства
PP 27-33
$$
LA rus
TR Сверхвысокочастотные устройства с активными резонаторами для
   диагностики диэлектриков
AU В.В.Сафонов
RR Представлены результаты теоретических и экспериментальных
   исследований микроволновых устройств на основе активных
   резонаторов, применяемых для радиофизической диагностики твердых
   диэлектриков. При исследовании применялись методы теории цепей и
   матричной алгебры.
KR сверхвысокочастотные устройства; устройства
   сверхвысокочастотные; СВЧ устройства; резонаторы; активные
   резонаторы; микроволновые устройства; устройства микроволновые;
   диэлектрики; радиофизическая диагностика; диагностика
   диэлектриков; метод теории цепей; теории цепей метод; матричная
   алгебра; алгебра матричная; матричные модели; модели матричные;
   структурные схемы; схемы структурные
PP 34-42
$$
LA rus
TR Расчет и назначение допусков методом касательных
AU Г.Н.Шило, А.Ю.Воропай, Н.П.Гапоненко
RR Предложен метод расчета допусков при нормальном распределении
   параметров, основанный на совмещении касательных к области
   работоспособности и эллипсоиду допусковой области. Метод
   обеспечивает высокую точность расчета, может использоваться при
   работе с многоэлементными моделями. Рассмотрено применение
   метода для назначения абсолютных и относительных отклонений
   параметров. Приведены выражения для отклонений с максимальным
   объемом допусковой области. Для учета нелинейности выходной
   функции при расчете и назначении допусков используются
   итерационные алгоритмы.
KR электронные аппараты; аппараты электронные; проектирование;
   расчет допусков; метод касательных; касательных метод; метод
   расчета допусков; расчета допусков метод; итерационные
   алгоритмы; алгоритмы итерационные
PP 43-52
$$
LA rus
TR Метод восстановления сигналов с использованием нормированного
   биспектра
AU А.В.Тоцкий и др.
RR Предложен метод восстановления сигналов неизвестной формы по
   биспектральной плотности. Изложен новый подход, основанный на
   использовании гладких функций косинус и синус вместо традиционно
   используемой в фазовых измерениях разрывной функции арктангенс
   аргумента биспектра. С помощью моделирования оценена
   эффективность предложенного метода восстановления сигналов с
   разрывами первого рода при различных интервалах дискретизации.
KR восстановление сигналов; биспектральное восстановление; сигналы;
   биспектр; метод восстановления сигналов; восстановления сигналов
   метод
PP 53-60
$$
LA rus
TR Исследование детектора цифровых амплитудно-модулированных
   сигналов
AU Ю.А.Брюханов
RR Рассмотрена работа амплитудного детектора цифровых сигналов,
   содержащего последовательно соединенные нелинейный элемент и
   цифровой фильтр. В качестве нелинейного элемента используется
   двухполупериодный цифровой вентиль. Установлены зависимости
   коэффициента детектирования и коэффициента гармоник от
   параметров цифрового фильтра. Результаты сравниваются со случаем
   использования однополупериодного цифрового вентиля.
KR радиосигналы; цифровые сигналы; сигналы цифровые; детекторы
   сигналов; амплитудно-модулированные сигналы; сигналы
   амплитудно-модулированные; цифровые вентили; вентили цифровые;
   цифровые фильтры; фильтры цифровые
PP 61-66
$$
LA rus
TR Волноводная брэгговская структура миллиметрового диапазона длин
   волн
AU В.В.Олейник, Д.Г.Макаров, В.В.Данилов
RR Теоретически и экспериментально исследована периодическая
   диэлектрическая структура в прямоугольном волноводе 8-мм
   диапазона, которая является аналогом одномерного фотонного
   кристалла в оптическом диапазоне длин волн. Экспериментально
   зафиксирована форма, величина и положение запрещенной зоны,
   которые соответствуют расчетным данным. Расчет проведен на
   основе теории связанных волн, модифицированной для учета
   особенностей волноводного распространения излучения в
   резонансной структуре СВЧ диапазона.
KR волноводы; прямоугольные волноводы; волноводные структуры;
   структуры волноводные; брэгговские структуры; структуры
   брэгговские; 8-мм диапазон длин волн; теория связанных волн;
   связанных волн теория; СВЧ диапазон волн; сверхвысокочастотный
   диапазон волн
PP 66-70
$$
LA rus
TR Частотные характеристики контактов металл-полупроводник с
   барьером Шоттки
AU А.К.Мамедов
RR Разработана графоаналитическая модель контактов
   металл-полупроводник с барьером Шоттки, аппроксимирующая
   реальные частотные зависимости эквивалентной емкости и
   сопротивления параллельной схемы замещения, учитывающей
   сопротивление и емкость контакта и объема, в виде ломаной линии
   с несколькими изломами.
KR полупроводниковые приборы; приборы полупроводниковые;
   проектирование приборов; графоаналитические модели; модели
   графоаналитические; барьер Шоттки; Шоттки барьер; схемы
   замещения; замещения схемы
PP 70-75
$$
LA rus
TR Инжекционно-полевой фотодиод
AU А.В.Каримов, Д.М.Едгорова
RR Предложен фотодиод на основе pAlInGaAs-nGaAs-m-переходов.
   Высокая фоточувствительность в нем достигается в режиме прямого
   смещения p-n-гетероперехода и запирания n-m-перехода. В этом
   режиме освещение структуры из собственной или примесной области
   спектра приводит к уменьшению сопротивления базовой области за
   счет генерированных фотоносителей, что приводит к последующему
   увеличению инжекционного тока через прямо смещаемый p-n-переход.
   При этом с увеличением приложенного напряжения поле на
   запираемом n-m-переходе возрастает. Такие фотодиоды могут
   использоваться для регистрации оптического и лазерного излучений
   в диапазоне 0,8...1,6 мкм.
KR фотодиоды; инжекционно-полевой фотодиоды; p-n-переходы;
   n-m-переходы; pAlInGaAs-nGaAs-m-переходы; 0,8...1,6 мкм
PP 76-80
$$